SRAM

在同学们常用的笔记本和台式机中，通常采用的是 DDR 内存，但 DDR 内存较为复杂，因此在课程中选择更为简单的 SRAM 作为实验系统中的内存。本文将会介绍 SRAM 的结构和它的接口。

简介

本文讲述了实验中采用的 SRAM 器件的结构，和如何通过接口来读写 SRAM 的内容。出于简化，这里只介绍一种较为保守的 SRAM 读写方式，性能更高的读写方式不在教学范围内。

SRAM 的结构

本实验中可以把 SRAM 想象成一个数组：uint32_t sram[1048576]，即 1048576 个 32 位整数，一共是 32*1048576/8=4 MB 的数据。我们可以对其进行读和写的操作，就好像 C 的代码：

uint32_t sram[1048576];
// read
uint32_t read_data = sram[addr];
// write
sram[addr] = write_data;

由此，我们可以想象一下 SRAM 的工作流程，假如有一个二维的矩阵，一共有 1048576 个行，每行有 32 列，每一个矩阵元素就是 0 或者 1，这样每一行就是一个 32 位整数。

如果 CPU 要读取 SRAM，那么首先需要给出一个地址，比如地址 0x123，就要找到第 0x123=291 行的 32 位数据，把数据返回给 CPU。如果 CPU 要写入 SRAM，同样也是先给出一个地址，比如地址 0x321，就要找到第 0x321=801 行的 32 位数据，把新写入的数据填进去，修改原来的数据，完成写入。

由此可见，无论是读还是写，都有若干个步骤，这些步骤都需要花费一定的时间，这意味着我们在操作 SRAM 的时候，需要按照一定的规则来进行，如果不满足规则，就可能导致读取错误的数据，或者没有成功地写入等等问题。

SRAM 的信号

在做前面的实验的时候，你可能会注意到，顶层模块中有如下的信号：

//BaseRAM信号
inout wire[31:0] base_ram_data,  //BaseRAM数据
output wire[19:0] base_ram_addr, //BaseRAM地址
output wire[3:0] base_ram_be_n,  //BaseRAM字节使能，低有效。如果不使用字节使能，请保持为0
output wire base_ram_ce_n,       //BaseRAM片选，低有效
output wire base_ram_oe_n,       //BaseRAM读使能，低有效
output wire base_ram_we_n,       //BaseRAM写使能，低有效

这就是我们 CPU 访问 SRAM 的途径。实验板上一共有两组 SRAM，我们称之为 BaseRAM 和 ExtRAM，上面的信号就是和 BaseRAM 进行连接的信号。

接下来我们来逐一看上面的信号的含义：

1. inout wire [31:0] base_ram_data：读和写的 32 位数据，需要注意用的是同一组信号，意味着同一时间只能进行读或者写其中一个
2. output wire [19:0] base_ram_addr：地址线，通过计算可以发现 2^20=1048576，正好是我们上面提到的 uint32_t sram[1048576] 的数组大小
3. output wire [3:0] base_ram_be_n：字节使能，目的是实现部分写入，例如只想写入四个字节其中一个，就把相应位设置为 0
4. output wire base_ram_ce_n：片选使能，使用 SRAM 时，需要保证 base_ram_ce_n=0；如果 base_ram_ce_n=1，就进入省电模式
5. output wire base_ram_oe_n：输出使能，对于读操作，需要保证 base_ram_oe_n=0，此时 base_ram_data 由 SRAM 输出；对于写操作，需要保证 base_ram_oe_n=1，此时 base_ram_data 由 FPGA 输出
6. output wire base_ram_we_n：写入使能，读操作对应 base_ram_we_n=1，写操作对应 base_ram_we_n=0

如果不考虑 SRAM 操作所需要的时间，一个大概的操作思路如下：

读操作：

1. 设置 base_ram_addr 为要读取的地址，设置 base_ram_be_n=0b0000, base_ram_ce_n=0, base_ram_oe_n=0, base_ram_we_n=1
2. 等待读取完毕，在 base_ram_data 上得到读取的数据

写操作：

1. 设置 base_ram_addr 为要写入的地址，设置 base_ram_ce_n=0, base_ram_oe_n=1, base_ram_we_n=0，根据要写入的字节数量设置 base_ram_be_n
2. 等待写入完毕

SRAM 的时序

前面已经暗示，SRAM 实际上读写需要经过几个步骤，这意味着我们不能简单地像上面那样，直接给出信号，然后就完成读和写的操作。

接下来我们来分析一下 SRAM 读写需要的具体步骤，和相应的波形。

读时序

前面我们已经提到，SRAM 读取的时候，首先需要根据行号找到相应的行，再把一行的数据输出到 base_ram_data 上。这一步需要大约一个周期的时间，这意味着我们需要等待一个周期，在第二个周期才可以得到读取的数据：

观察上面的波形：

1. 每次读取都需要等待一个周期。等待的时候，地址保持不变
2. 读操作需要保持 ce_n=0, oe_n=0, we_n=1
3. 四个字节都读取，于是设置 be_n=0b0000
4. 不需要读取的时候，设置 ce_n=1

写时序

SRAM 写入的过程则较为复杂。考虑到可能会只写入部分字节（例如 be_n=0b1100），SRAM 内部操作需要如下三个步骤：

1. 根据 addr 找到对应的行，把一行的数据读取出来
2. 把读取的数据和写入的数据，根据 be_n 计算出新的数据，例如原来保存的数据是 0x12345678，新写入的数据是 0x87654321，如果 be_n=0b1100，则新的数据是 0x12344321，即只写入两个字节
3. 把新的数据写入到行中

这三个步骤，我们都用一个周期的时间来完成：

观察上面的波形：

1. 每次写入都需要三个周期，这三个周期内，地址和数据保持不变
2. we_n 三个周期取值分别是 1, 0, 1
3. 写操作需要保持 ce_n=0, oe_n=1
4. 四个字节都写入，于是设置 be_n=0b0000，可以根据实际需要设置
5. 不需要写入的时候，设置 ce_n=1

注：这里的先读后写是 SRAM 内部一种可能的实现方式，主要是方便理解 SRAM 做了什么事情。另一种可能的实现方法是，SRAM 内部给四个字节分别设置一个写使能信号，通过 be_n 和 we_n 计算出每个字节的写使能信号，这样避免了先读后写的过程。无论 SRAM 内部如何实现，从外部来看就是一次设置了 byte enable 的写入。

扩展

同学看到上面的两周期读，三周期写的波形，可能想到有更优的实现方法。确实是有的，但是在本实验中，只需要按照上面的方式实现。

对于 SRAM 在硬件上是如何实现的，推荐阅读 What Every Programmer Should Know About Memory 的相关部分。